Группа учёных Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (СПбПУ) разработала оригинальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия — перспективного материала для электроники нового поколения. Это достижение было признано важнейшим результатом 2025 года в области радиационной физики твёрдого тела на ежегодной сессии Научного совета РАН. Как подчеркнул губернатор Александр Беглов, эта работа является прямым вкладом в выполнение поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники: Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых. Город продолжит поддержку науки, молодых специалистов — это один из десяти приоритетов развития Петербурга. Исследователям СПбПУ удалось, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, создать инструмент для фундаментальной оценки поведения оксида галлия под радиационным воздействием. Это создаёт основу для минимизации дефектов при промышленном производстве диодов, транзисторов и других элементов на его основе. Практическое значение открытия многогранно: высокая радиационная стойкость делает материал идеальным для электроники, работающей в экстремальных условиях космоса; применение в системах управления на атомных электростанциях, где критична устойчивость к высокоэнергетическим частицам; открывает путь к созданию полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения. В Политехническом университете сильнейшая научная школа по микро- и наноэлектронике. Университет активно сотрудничает с промышленными предприятиями нашего города, расширяет партнёрство для обеспечения технологического суверенитета России. Александр Беглов, губернатор Санкт-Петербурга Ранее Piter.TV сообщал, что инновационный способ производства кофе без токсичного акриламида разработали в Петербурге. Фото: Еудупкфь / СПбПУ на связи - Россия
- Северо-Западный
-
Центральный
- Белгородская область
- Брянская область
- Владимирская область
- Воронежская область
- Ивановская область
- Калужская область
- Костромская область
- Курская область
- Липецкая область
- Москва
- Московская область
- Орловская область
- Рязанская область
- Смоленская область
- Тамбовская область
- Тверская область
- Тульская область
- Ярославская область
- Южный
- Северо-Кавказский
- Приволжский
- Уральский
- Сибирский
- Дальневосточный
Выбрать субъект
Санкт-Петербург
- Все субъекты
- Белгородская область
- Брянская область
- Владимирская область
- Воронежская область
- Ивановская область
- Калужская область
- Костромская область
- Курская область
- Липецкая область
- Москва
- Московская область
- Орловская область
- Рязанская область
- Смоленская область
- Тамбовская область
- Тверская область
- Тульская область
- Ярославская область
Ученые Политеха в Петербурге совершили прорыв в радиационной физике
Группа учёных Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (СПбПУ) разработала оригинальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия — перспективного материала для электроники нового поколения. Это достижение было признано важнейшим результатом 2025 года в области радиационной физики твёрдого тела на ежегодной сессии Научного совета РАН. Как подчеркнул губернатор Александр Беглов, эта работа является прямым вкладом в выполнение поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники: Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых. Город продолжит поддержку науки, молодых специалистов — это один из десяти приоритетов развития Петербурга. Исследователям СПбПУ удалось, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, создать инструмент для фундаментальной оценки поведения оксида галлия под радиационным воздействием. Это создаёт основу для минимизации дефектов при промышленном производстве диодов, транзисторов и других элементов на его основе. Практическое значение открытия многогранно: высокая радиационная стойкость делает материал идеальным для электроники, работающей в экстремальных условиях космоса; применение в системах управления на атомных электростанциях, где критична устойчивость к высокоэнергетическим частицам; открывает путь к созданию полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения. В Политехническом университете сильнейшая научная школа по микро- и наноэлектронике. Университет активно сотрудничает с промышленными предприятиями нашего города, расширяет партнёрство для обеспечения технологического суверенитета России. Александр Беглов, губернатор Санкт-Петербурга Ранее Piter.TV сообщал, что инновационный способ производства кофе без токсичного акриламида разработали в Петербурге. Фото: Еудупкфь / СПбПУ на связи Главное в регионе
22:05, 24 января 2026
Почти 400 иностранцев из персонала “Перекрестков” задержаны после трагедии в "Сити Молле" 

