Способ увеличения мощности систем радиолокации за счет усовершенствования процесса выращивания транзисторов разработали ученые новосибирского Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП), 16 сентября сообщает портал «Интерфакс-Сибирь». Основными элементами СВЧ-устройств являются транзисторы с высокой подвижностью электронов. Применяемый для их производства нитрид галлия обладает рядом свойств, в том числе, позволяющих минимизировать количество транзисторов в каскадах СВЧ-устройств, и увеличить их мощность. При этом размер устройства становится меньше, а стабильность работы в условиях высокой температуры или повышенной радиации сохраняется. При этом важно, чтобы в процессе синтеза в кристаллическую структуру полупроводникового материала нитрида галлия не встраивался кислород, иначе возникнут нежелательные изменения его электрофизических свойств. В этом случае он, например, может начать проводить ток в условиях, где должен быть диэлектриком. Традиционно, для предотвращения этого явления, в вещество дополнительно вводится углерод или железо для захвата лишних электронов. Существует также второй способ, при котором специально создаются дефекты в начальных слоях нитрида галлия. После таких процедур параметры проводящего элемента транзистора ухудшаются, снижается его мощность. Учеными ИФП было найдено решение этой проблемы. Не добавляя посторонних примесей, они так научились манипулировать ростом кристаллов и создавать буферный слой с высоким электрическим сопротивлением, что в процессе получается структурно совершенный материал. Напомним, 18 сентября в Новосибирске состоится открытие VII Международного форума и выставки технологического развития «Технопром-2019». Технопром — крупнейшее технологическое мероприятие России, главной целью которого является продвижение отечественных научных разработок и инноваций. - Россия
- Северо-Западный
-
Центральный
- Белгородская область
- Брянская область
- Владимирская область
- Воронежская область
- Ивановская область
- Калужская область
- Костромская область
- Курская область
- Липецкая область
- Москва
- Московская область
- Орловская область
- Рязанская область
- Смоленская область
- Тамбовская область
- Тверская область
- Тульская область
- Ярославская область
- Южный
- Северо-Кавказский
- Приволжский
- Уральский
- Сибирский
- Дальневосточный
Выбрать субъект
Новосибирская область
- Все субъекты
- Белгородская область
- Брянская область
- Владимирская область
- Воронежская область
- Ивановская область
- Калужская область
- Костромская область
- Курская область
- Липецкая область
- Москва
- Московская область
- Орловская область
- Рязанская область
- Смоленская область
- Тамбовская область
- Тверская область
- Тульская область
- Ярославская область
Новосибирские ученые сумели увеличить мощность систем СВЧ-радиолокации
Способ увеличения мощности систем радиолокации за счет усовершенствования процесса выращивания транзисторов разработали ученые новосибирского Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП), 16 сентября сообщает портал «Интерфакс-Сибирь». Основными элементами СВЧ-устройств являются транзисторы с высокой подвижностью электронов. Применяемый для их производства нитрид галлия обладает рядом свойств, в том числе, позволяющих минимизировать количество транзисторов в каскадах СВЧ-устройств, и увеличить их мощность. При этом размер устройства становится меньше, а стабильность работы в условиях высокой температуры или повышенной радиации сохраняется. При этом важно, чтобы в процессе синтеза в кристаллическую структуру полупроводникового материала нитрида галлия не встраивался кислород, иначе возникнут нежелательные изменения его электрофизических свойств. В этом случае он, например, может начать проводить ток в условиях, где должен быть диэлектриком. Традиционно, для предотвращения этого явления, в вещество дополнительно вводится углерод или железо для захвата лишних электронов. Существует также второй способ, при котором специально создаются дефекты в начальных слоях нитрида галлия. После таких процедур параметры проводящего элемента транзистора ухудшаются, снижается его мощность. Учеными ИФП было найдено решение этой проблемы. Не добавляя посторонних примесей, они так научились манипулировать ростом кристаллов и создавать буферный слой с высоким электрическим сопротивлением, что в процессе получается структурно совершенный материал. Напомним, 18 сентября в Новосибирске состоится открытие VII Международного форума и выставки технологического развития «Технопром-2019». Технопром — крупнейшее технологическое мероприятие России, главной целью которого является продвижение отечественных научных разработок и инноваций. Главное в регионе
15:20, 23 октября 2026
В Новосибирске перед судом предстанет житель Читинской области по обвинению в особо тяжком преступлении, совершенном более 12 лет назад
18:52, 12 сентября 2026
Торги на капитальный ремонт моста через реку Иня в Новосибирской области не состоялись
18:09, 11 сентября 2026
Последствия истребления скота в Сибири коснутся почти каждого: Скоро увидим в магазинах 
