Новый материал для кремниевых микросхем предложен в России

Сотрудниками Национального исследовательского Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ) предложены универсальные методы производства материалов для кремниевых микросхем, повышающие их эффективность. Об этом ТАСС сообщили в пресс-службе вуза. Проект уникален не только для российской, но и для мировой науки, поясняется в сообщении. Нижегородскими учеными получена пленка с кремнием в гексагональной фазе. Материал способен повысить энергоэффективность транзисторов, увеличив ток при меньшем напряжении. Разработка послужит улучшению характеристик базовых элементов микросхем и росту производительности процессоров. Доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий физического факультета университета Лобачевского Антон Конаков поясняет: кремний в гексагональной фазе обладает особой кристаллической структурой. В некоторых направлениях растёт проводимость материала, что способствует усилению электрического тока. Традиционно аналогичные слои неустойчивы, быстро трансформируются в "обычный" кремний. Нижегородцы смогли стабилизировать гексагональную фазу. Что даёт новые шансы для применения нового материала в промышленных масштабах, в частности, на крупных участках микросхем с большим числом контактов. Также технологию можно масштабировать и расширить, применив для создания других инновационных материалов, что найдут применение в разных сферах деятельности.