В новой лаборатории МИЭТ будут разрабатываться элементы для развития силовых микросхем

Научно-исследовательская лаборатория «Элементная база силовой электроники на основе нитрида галлия» (НИЛ ЭБСЭ) откроется на базе Научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнология» (НОЦ ЗМНТ) в НИУ «МИЭТ». Как сообщили в пресс-службе зеленоградского университета, в лаборатории будут разрабатываться новые элементы для развития силовых микросхем, новые конструкции гетероструктур A3B5 для применения в силовых транзисторах. Руководителем лаборатории назначен кандидат технических наук, старший научный сотрудник НОЦ ЗМНТ и по совместительству доцент кафедры квантовой физики и наноэлектроники Константин Царик. В рамках первой научно-исследовательской работы НИЛ ЭБСЭ выбран индустриальный партнер в лице АО «ЗНТЦ», которому интересна топология интегральной микросхемы «Силовой модуль для высоковольтных схем преобразования мощности». Планируется разработать силовые транзисторы под пробивное напряжение порядка 650 В, с максимальным током до 40 А. В рамках достигаемого результата будет построена модель GaNHEMT с затвором р-GaN, обеспечивающая высоковольтное применение транзистора с высокой подвижностью носителей заряда в канале. Это позволит усовершенствовать конструкцию и сформировать инструкции по усовершенствованию технологии создания GaN-транзисторов. – По завершению этого проекта мы планируем разработать новые элементы для развития силовых микросхем, новые конструкции гетероструктур A3B5 для применения в силовых транзисторах, – говорит руководитель лаборатории Константин Царик. – Кроме того, методами приборно-технологического моделирования будут разрабатываться и высоковольтные СВЧ интегральные схемы на основе нитрида галлия на кремнии. Фото: miet.ru